德州仪器申请半导体装置中的去耦电容器和其形成方法专利，电容器与深沟槽隔离结构介接并电耦合到埋入式半导体层
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2026-03-11 15:25:55
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国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“半导体装置中的去耦电容器和其形成方法”的专利，公开号CN121645971A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体装置中的去耦电容器和其形成方法。所述半导体装置包含安置在衬底上方并具有第一导电类型的埋入式半导体层(110)、安置在所述埋入式半导体层上方并具有相反的第二导电类型的外延层(112)、延伸穿过所述外延层、所述埋入式半导体层并进入所述衬底的深沟槽隔离结构(120)，以及安置在所述衬底上方的电容器(122/132)。所述电容器与所述深沟槽隔离结构介接并电耦合到所述埋入式半导体层。
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来源：市场资讯
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