爱思开海力士申请半导体器件及制造方法专利，半导体器件可包括可变电阻层
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2026-03-10 18:16:26
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及制造半导体器件的方法”的专利，公开号CN121645898A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。半导体器件可包括：包括交替堆叠的电极板和绝缘层的堆叠；延伸穿过堆叠的电极柱；环绕电极柱侧壁的可变电阻层；以及分别位于电极板与可变电阻层之间的第一电极，每个第一电极包含金属氧化物。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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