3 月 4 日，AI 芯片、存储芯片和逻辑处理器需求持续飙升，正在推动亚洲半导体企业大幅提高投资规模。今天晚间，集邦咨询 TrendForce 数据显示，亚洲多家主要芯片厂商今年资本支出预计将超过 1360 亿美元（IT之家注：现汇率约合 9404.47 亿元人民币），比 2025 年增长约 25%，其中台积电、三星电子和 SK 海力士是扩产的核心力量。

亚洲晶圆代工龙头和存储厂商正在显著增加 2026 年投资规模。譬如，台积电今年资本支出将达到 520 亿至 560 亿美元（现汇率约合 3595.83 亿至 3872.43 亿元人民币）的历史新高，同比增长 27% 至 37%。其中约 70% 至 80% 用于先进制程，其余用于特殊制程和先进封装。

中芯国际也保持高水平投资，其资本支出规模几乎与全年营收相当，重点用于本土产能建设。预计该公司 2026 年的资本支出将与 2025 年基本持平，仍将保持在 80 亿美元（现汇率约合 553.2 亿元人民币）以上。

与此同时，三星电子和 SK 海力士也在加大投资力度。TrendForce 预计，三星电子 2026 年资本支出将同比增长约 3.7%，SK 海力士可能提高约 24%。两家公司都在扩大产能，新增产能主要用于 HBM 高带宽存储。

三星计划在 2026 年将 DRAM 产量提高约 20%，重点依托平泽 P4 工厂，并主要生产 10nm 级第六代（1C）DRAM，以配合 HBM4 需求。

SK 海力士方面，EBN 称其清州 M15X 工厂已完成准备，大部分新增产能预计将用于 HBM 生产。

消息称 SK 海力士已经上调 1C DRAM 扩产计划。业内预计到 2027 年第一季度末，其月产能可能达到17 万至 20 万片，接近原定目标的两倍。

NAND 领域，铠侠与闪迪的联盟也成为扩产最激进的力量之一。预计该合资项目 2026 年资本支出增长约 40%。

值得注意的是，这轮投资潮也蔓延到二线存储厂商。例如，华邦电子计划在 2026 年投入421 亿新台币（现汇率约合 93 亿元人民币），接近去年的八倍。

华邦电子主要生产用于各类设备存储源代码 NOR 闪存芯片，以及定制化旧制程 DRAM，预计 2026 年第一季度平均售价将上涨 30% 以上。

全球第五大 DRAM 厂商南亚科技也宣布大幅提高投资规模。在经历近三年的行业低迷后，其将 2026 年资本支出提高到此前水平的两倍以上。据悉，南亚科技已经公布 500 亿新台币的资本支出预算，新工厂预计将在 2028 年上半年达到每月 2 万片晶圆产能。

来源：IT之家