甬矽电子取得引线框架和芯片封装结构专利，能够大幅提升QFN封装芯片的散热能力_半导体

甬矽电子取得引线框架和芯片封装结构专利，能够大幅提升QFN封装芯片的散热能力

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2026-03-03 14:43:21

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国家知识产权局信息显示，甬矽电子（宁波）股份有限公司取得一项名为“引线框架和芯片封装结构”的专利，授权公告号CN223968213U，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本实用新型的实施例提供了一种引线框架和芯片封装结构，涉及芯片封装技术领域。该引线框架包括框架本体、第一散热片和第二散热片，框架本体的一侧表面设置有用于贴装芯片的贴装区域，第一散热片设置在框架本体的一侧，且第一散热片的至少部分与框架本体相间隔，并用于贴合在芯片的背面，第二散热片设置在框架本体的另一侧，并贴合于引线框架的表面。相较于现有技术，本实用新型实施例提供的引线框架，能够通过第一散热片和第二散热片的设置来同时实现对芯片和引线框架的散热，能够大幅提升QFN封装芯片的散热能力，并且能够实现双面散热，散热效率大幅提升。

天眼查资料显示，甬矽电子（宁波）股份有限公司，成立于2017年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41048.303万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽电子（宁波）股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目40次，财产线索方面有商标信息153条，专利信息452条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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