广州增芯科技申请MOS管阈值电压测试方法专利，可将整体测试时间缩短接近50%_半导体

广州增芯科技申请MOS管阈值电压测试方法专利，可将整体测试时间缩短接近50%

创始人

2026-02-28 16:14:04

0次

国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“MOS管的阈值电压测试方法、设备及存储介质”的专利，公开号CN121578084A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种MOS管的阈值电压测试方法、设备及存储介质，涉及集成电路测试技术领域。该方法包括根据预设最低电压，对待测MOS管的栅极进行第一电压测试，得到待测MOS管在饱和区的栅极阈值电压；根据饱和区的栅极阈值电压，对待测MOS管的栅极进行第二电压测试，得到待测MOS管在线性区的栅极阈值电压。本申请将已测得的饱和区阈值电压Vtsat作为线性区阈值电压Vtlin测试的栅极扫描起始电压，在完全保证原有测试精度的前提下，可将Vtlin与Vtsat的整体测试时间缩短接近50%，有效解决了MOS管阈值电压测试中时间成本高、效率低的核心问题，为半导体器件SPICE模型开发提供了高效且可靠的测试方案。

天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目51次，财产线索方面有商标信息48条，专利信息228条，此外企业还拥有行政许可180个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业科技栅极 Vtlin 投资整体广州测试 Vtsat 专利饱和区阈值电压

上一篇：大手笔募资！280亿A股公司，拟加码半导体测试等领域

下一篇：华创电源取得电池组极耳冷却结构专利，解决能源耗费严重问题

广州增芯科技申请MOS管阈值电压测试方法专利，可将整体测试时间缩短接近50%

相关内容

热门资讯