三安半导体申请发光二极管及发光装置专利，提升发光均匀性_半导体

三安半导体申请发光二极管及发光装置专利，提升发光均匀性

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2026-02-27 14:11:03

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国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“发光二极管及发光装置”的专利，公开号CN121586348A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括半导体叠层和透明导电层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有第一台面和第二台面，第一台面露出第一半导体层，第二台面露出第二半导体层，第二台面高于第一台面，透明导电层设置在第二半导体层之上，俯视来看，透明导电层和第二半导体层的形貌相同，透明导电层的面积至少占第二半导体层的面积的95%。借此设置，可以提升发光二极管的发光均匀性，提升器件的性能。

天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目60次，专利信息635条，此外企业还拥有行政许可403个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示科技导电投资台面泉州导体查大专利半导体体层导电层二极管

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