三安半导体申请发光二极管及发光装置专利，提升发光均匀性
创始人
2026-02-27 14:11:03
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国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“发光二极管及发光装置”的专利，公开号CN121586348A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括半导体叠层和透明导电层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有第一台面和第二台面，第一台面露出第一半导体层，第二台面露出第二半导体层，第二台面高于第一台面，透明导电层设置在第二半导体层之上，俯视来看，透明导电层和第二半导体层的形貌相同，透明导电层的面积至少占第二半导体层的面积的95%。借此设置，可以提升发光二极管的发光均匀性，提升器件的性能。
天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目60次，专利信息635条，此外企业还拥有行政许可403个。
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来源：市场资讯
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