来源：财联社

周四，韩国存储芯片巨头三星电子股价再度创下历史新高。此前有报道称，该公司正就其最新一代人工智能（AI）存储芯片的定价进行谈判，价格将较上一代高出至多30%。

三星股价盘中一度上涨逾5%，最高触及190900韩元的历史高点。今年以来，三星股价已经累计上涨近50%，延续了2025年的迅猛涨势。

与此同时，在存储板块的引领下，韩国股市周四再刷新高，韩国基准股指Kospi指数盘中最高涨至5681.65点，截至收盘，上涨逾3%。

消息称，三星计划将其HBM4组件的售价定在约700 美元，较HBM3E高出20%至30%。

盛宝市场（Saxo Markets）首席投资策略师Charu Chanana表示，有关三星 HBM4 的报道再次凸显了该行业的 “定价权”。

“这表明AI存储芯片市场供应依然紧张，同时三星认为自己在高端（芯片）市场重新夺回了一定的定价话语权。”她表示。

存储芯片短缺持续利好三星与其本土竞争对手SK海力士，推动Kospi指数年初迄今大涨34%，使其成为全球表现最佳的股市。

在AI竞赛初期一度落后于SK海力士后，三星正强势反攻。就在上周，三星宣布已开始量产HBM4芯片，并已向客户交付商用产品。

报道还称，SK海力士预计也将把HBM4的价格定在更高水平。而去年8月，该公司向英伟达供应的HBM4单价约为500美元。

彭博情报分析师Masahiro Wakasugi在一份报告中写道，700 美元的定价意味着三星HBM4的营业利润率高达50%至60%。

“如果三星向英伟达供应更多HBM芯片，2026年三星与SK海力士的平均售价差距将会缩小，因为面向英伟达的（芯片）定价会高于其他客户。”他表示。

韩国“芯片双雄”调整战略积极扩产

与此同时，面对人工智能驱动的内存芯片需求激增，韩国“芯片双雄”——三星电子与SK海力士——调整了战略：通过提前推进生产计划，以主动把握存储超级周期红利。

直到去年年底，这些企业还在谨慎控制产能扩张，吸取过往存储芯片厂商之间陷入恶性价格战的教训。而如今，鉴于内存市场持续繁荣，他们转向积极扩产。

据最新报道，SK海力士计划将其龙仁一期晶圆厂的试运行时间提前至明年2-3月。这座晶圆厂的建设原计划于明年5月完工。

三星电子亦将平泽P4工厂的投产时间从明年一季度提前至今年四季度，生产规划前移约三个月。

两家公司均将在新产线重点部署高附加值产品，如高性能DRAM与HBM（高带宽内存）。

三星和SK海力士作出上述战略调整的背景是AI数据中心建设推动高性能DRAM需求大幅增长。

眼下，存储芯片的供应持续滞后于需求。

韩国KB证券指出：“截至2月，与去年第四季度相比，内存芯片的短缺程度进一步加剧，主要客户的订单满足率仅为60%。AI数据中心企业占据了三星内存出货量的70%。”

花旗集团分析指出，今年DRAM供应量预计将增长17.5%，NAND闪存供应量增长16.5%。与此同时，DRAM需求预计增长20.1%，NAND闪存需求增长21.4%，显示需求增速持续超过供给。

晨星、摩根大通等主流市场研究机构均预测，存储芯片短缺状况将持续至2027年。