华瑞微电子申请VDMOS器件控制方法专利，使得电路在不同负载条件下都能保持稳定的工作状态_半导体

华瑞微电子申请VDMOS器件控制方法专利，使得电路在不同负载条件下都能保持稳定的工作状态

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2026-02-18 22:43:04

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国家知识产权局信息显示，滁州华瑞微电子科技有限公司申请一项名为“VDMOS器件的控制方法”的专利，公开号CN121547030A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供一种VDMOS器件的控制方法。该方法通过获取电路中上管VDMOS器件的上管栅极电压信号以及下管VDMOS器件的下管栅极电压信号，再根据上管栅极电压信号以及下管栅极电压信号确定初始死区时间，从而根据电路中的负载状态以及初始死区时间确定目标死区时间，以利用目标死区时间对音频功率放大器电路中的上管VDMOS器件以及下管VDMOS器件进行同时关断，从而通过动态调整目标死区时间，使得电路在不同负载条件下都能保持稳定的工作状态。

天眼查资料显示，滁州华瑞微电子科技有限公司，成立于2020年，位于滁州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本19974.1663万人民币。通过天眼查大数据分析，滁州华瑞微电子科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目30次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息42条，此外企业还拥有行政许可72个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业死区投资控制器件电路条件下微电子专利负载栅极电压

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