华虹宏力申请MUX触发电路、MUX结构及SRAM写辅助电路专利，实现SRAM在低电压下的高可靠、低功耗写入_半导体

华虹宏力申请MUX触发电路、MUX结构及SRAM写辅助电路专利，实现SRAM在低电压下的高可靠、低功耗写入

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2025-11-24 18:08:48

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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“MUX触发电路、MUX结构及SRAM写辅助电路”的专利，公开号CN 120998259 A，申请日期为2025年7月。专利摘要显示，本发明公开了一种MUX触发电路、MUX结构及SRAM写辅助电路,所述MUX触发电路，其用于触发SRAM写辅助启动，当SRAM写入失效发生时，SRAM两路字线电平降为低，MUX触发电路输出置高电平；MUX触发电路输出信号用于启动写辅助电路。相对现有技术存在每次写入均开启负位线，功耗高的缺点，本发明仅对写失败触发写辅助，动态降低功耗，通过负压辅助确保写入成功。实现“检测-触发”机制，实现SRAM在低电压下的高可靠、低功耗写入。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目927次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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