苏州龙驰半导体申请半导体结构及半导体器件专利，解决接触电阻较高问题_半导体

苏州龙驰半导体申请半导体结构及半导体器件专利，解决接触电阻较高问题

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2026-02-18 15:10:49

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国家知识产权局信息显示，苏州龙驰半导体科技有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体器件”的专利，公开号CN121548295A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，提供了一种半导体结构及半导体器件。半导体结构包括衬底、外延层、接触孔、第一接触槽以及导电互连层。其中，外延层形成于衬底顶部，且外延层的导电类型与衬底的导电类型相反。接触孔沿外延层的厚度方向贯穿外延层，衬底中与接触孔对应位置形成有第一离子注入区。第一接触槽开设于外延层上，第一接触槽的槽底朝衬底延伸。并且第一接触槽的槽壁形成有第二离子注入区。导电互连层位于接触孔与第一接触槽，且导电互连层与第一离子注入区及第二离子注入区均连接，以使衬底与外延层通过导电互连层电导通。本申请可解决因深槽接触孔的侧壁及底部的接触界面难以同时优化导致接触电阻较高的问题。

天眼查资料显示，苏州龙驰半导体科技有限公司，成立于2022年，位于苏州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本19634.4449万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州龙驰半导体科技有限公司参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息28条，专利信息77条，此外企业还拥有行政许可32个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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