甬矽半导体申请内埋式重布线封装结构及其制备方法专利，提升基底布线层与芯片之间的结合力_半导体

甬矽半导体申请内埋式重布线封装结构及其制备方法专利，提升基底布线层与芯片之间的结合力

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2026-02-18 13:41:08

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国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“内埋式重布线封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN121548342A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明实施例提供了一种内埋式重布线封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，该内埋式重布线封装结构包括第一芯片、第一塑封层、堆叠布线组合层、第二芯片和基底布线组合层，本发明实施例在第一塑封层的一侧边缘设置有容纳凹槽，该容纳凹槽延伸至第一芯片的背面边缘，而基底布线层能够填充至容纳凹槽，提升了基底布线层与第一芯片之间的结合力，能够减缓芯片与基底布线层之间产生的分层现象。此外，通过第一芯片的边缘台阶结构，能够降低塑封料与第一芯片之间的热应力，减缓芯片边缘隐裂现象。而导电柱设置在容纳凹槽区域，能够缩短导电柱的长度，进而降低信号传输距离，提升电性传输效率。并能够降低导电柱的制备难度。

天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目35次，专利信息256条，此外企业还拥有行政许可19个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业结合力导电投资半导体芯片宁波结构边缘专利布线层重布线导电柱

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