三安半导体申请发光二极管及模组专利，避免转移按压时的芯片断裂现象_半导体

三安半导体申请发光二极管及模组专利，避免转移按压时的芯片断裂现象

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2026-02-18 10:39:58

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国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管、发光模组及发光装置”的专利，公开号CN121548179A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种发光二极管、发光模组及发光装置，发光二极管包括外延连接层及至少两个发光单元。外延连接层包括第一表面和第二表面。至少两个发光单元间隔形成于外延连接层的第一表面上，每个发光单元于第一表面依次包括第一半导体层、有源层及第二半导体层，相邻发光单元之间电隔离，相邻发光单元之间的间隔区域上形成有桥接电极，所述桥接电极电连接相邻两个发光单元以将至少两个发光单元串联。外延连接层与第一半导体层的组成元素至少部分相同，外延连接层至少对应于相邻两个发光单元之间的间隔区域为不导通区或电流限制区。本发明中外延连接层能够对芯片形成有效的结构支撑，避免转移按压时的芯片断裂现象。

天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目60次，专利信息634条，此外企业还拥有行政许可400个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资单元泉州芯片外延导体模组专利连接层二极管

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