摩尔线程申请双端口静态随机存取存储器单元专利，在相同面积下具有更高的存储密度_半导体

摩尔线程申请双端口静态随机存取存储器单元专利，在相同面积下具有更高的存储密度

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2026-02-12 13:16:06

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国家知识产权局信息显示，摩尔线程智能科技（北京）股份有限公司申请一项名为“一种双端口静态随机存取存储器单元和存储器”的专利，公开号CN121510569A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请公开了一种双端口静态随机存取存储器单元及存储器。该单元包括沿第一方向延伸的至少一根鳍，鳍上具有有源区和栅极结构。在鳍的第一侧布设第一互连金属结构，形成行列排布的第一读写晶体管、第二读写晶体管、第一上拉晶体管和第二上拉晶体管，其中第一上拉晶体管、第二上拉晶体管的沟道区沿第二方向同列布置，并在其一侧预留布线空间，第一读写晶体管、第二读写晶体管的沟道区位于该预留布线空间内。在鳍的相对第二侧布设第二互连金属结构，两侧互连金属结构形成的晶体管共用鳍作为沟道载体，并通过过孔互连。该结构可以使得在相同面积下具有更高的存储密度，并可以支持双端口并行访问，提升多核协同性能。

天眼查资料显示，摩尔线程智能科技（北京）股份有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本47002.8217万人民币。通过天眼查大数据分析，摩尔线程智能科技（北京）股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息202条，专利信息1180条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示投资信息单元方向摩尔静态晶体管专利有源区双端口存储器沟道区

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