荣芯半导体申请沟槽版图结构专利，减小同一刻蚀工艺中形成的不同宽度沟槽的深度差异_半导体

荣芯半导体申请沟槽版图结构专利，减小同一刻蚀工艺中形成的不同宽度沟槽的深度差异

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2026-02-11 20:12:43

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国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（淮安）有限公司申请一项名为“沟槽版图结构、掩膜版、沟槽结构及其制作方法”的专利，公开号CN121510673A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供一种沟槽版图结构、掩膜版、沟槽结构及其制作方法，所述版图结构包括：第一沟槽图案和第二沟槽图案，其中所述第一沟槽图案包括多个第一子沟槽图案，相邻所述第一子沟槽图案之间具有间隔区域，所述第一子沟槽图案与所述第二沟槽图案的宽度差异小于第一预设值。本申请通过在版图结构中将第一沟槽图案分为多个第一子沟槽图案，所述第一子沟槽图案与所述第二沟槽图案的宽度差异小于第一预设值，从而使得在同一刻蚀工艺中形成的第一沟槽与第二沟槽的深度差异小于第二预设值，即减小了同一刻蚀工艺中形成的不同宽度的沟槽的深度差异，同时并无需额外增加工艺掩膜、光刻、刻蚀等成本，由此提高工艺效率与工艺稳定性。

天眼查资料显示，荣芯半导体（淮安）有限公司，成立于2021年，位于淮安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本750000万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（淮安）有限公司参与招投标项目17次，专利信息52条，此外企业还拥有行政许可40个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

图案宽度投资沟槽版图导体荣芯工艺结构专利

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