物元半导体申请等离子刻蚀方法专利，抑制等离子体波动及微掩模效应_半导体

物元半导体申请等离子刻蚀方法专利，抑制等离子体波动及微掩模效应

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2026-02-11 16:19:51

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国家知识产权局信息显示，物元半导体技术（青岛）有限公司申请一项名为“一种等离子刻蚀方法”的专利，公开号CN121487511A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供一种等离子刻蚀方法，包括：提供多层膜堆叠结构，多层膜堆叠结构从上至下依次包括第一氧化层、氮化硅层、第二氧化层及硅衬底；在第一氧化层表面设置光刻胶层；将待刻蚀的多层膜堆叠结构置于等离子刻蚀设备反应腔内，分三个阶段进行刻蚀：第一阶段为对第一氧化层刻蚀，第二阶段为对氮化硅层刻蚀，第三阶段为对第二氧化层刻蚀。在任意两个阶段切换时，调控源功率与偏置功率，使二者以30°~90°相位差脉冲。本申请的技术方案能够对含第一氧化层、氮化硅层、第二氧化层及硅衬底的多层膜结构，采用三阶段刻蚀，且阶段切换时，以30°~90°相位差调控源功率与偏置功率，抑制等离子体波动及微掩模效应，为高选择比、高精度刻蚀提供支撑。

天眼查资料显示，物元半导体技术（青岛）有限公司，成立于2022年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本52199.9997万人民币。通过天眼查大数据分析，物元半导体技术（青岛）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，专利信息149条，此外企业还拥有行政许可12个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法三个阶段氧化投资等离子掩模波动青岛专利源功率氧化层硅层模效应

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