晶丰明源取得MOS器件专利，提高器件的可靠性
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2026-02-11 13:14:14
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国家知识产权局信息显示，上海晶丰明源半导体股份有限公司取得一项名为“MOS器件”的专利，授权公告号CN223899571U，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本实用新型提供一种MOS器件。所述MOS器件包括基底和位于所述基底上的栅极结构，所述基底中形成有漏区和隔离结构，所述漏区位于所述栅极结构的侧边，所述隔离结构包括隔离氧化层且至少部分位于所述漏区远离所述栅极结构的一侧，所述漏区和所述隔离结构之间的间距大于0。这样增大漏区与隔离结构之间的距离可以改善MOS器件的漏电问题，提高MOS器件的击穿电压，提高器件的可靠性。
天眼查资料显示，上海晶丰明源半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本8849.0481万人民币。通过天眼查大数据分析，上海晶丰明源半导体股份有限公司共对外投资了22家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息48条，专利信息491条，此外企业还拥有行政许可3个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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