深圳镓楠半导体申请氮化镓双向器件专利，降低GaN器件制造成本_半导体

深圳镓楠半导体申请氮化镓双向器件专利，降低GaN器件制造成本

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2026-01-13 16:08:44

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国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“氮化镓双向器件及其制作方法”的专利，公开号CN121310577A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请提供了一种氮化镓双向器件，包括外延结构、形成在所述外延结构上的第一源极、第二源极、第一栅极以及第二栅极；所述第一源极和所述第二源极位于所述第一栅极和所述第二栅极的外侧，所述第一栅极位于所述第一源极和第二栅极之间；所述第一源极包括第一源金属部和第一源欧姆部，所述第一源欧姆部包括填充在所述第一欧姆孔内并且与所述外延结构欧姆接触的第一欧姆接触部，所述第一源金属部自所述第一欧姆孔朝着所述第二源极延伸，从而跨过所述第一栅极并且至少部分的形成在所述第一钝化单元上方。通过单片集成工艺实现，结构简单，所述第一源金属部和所述第一源欧姆部可以通过同一张掩膜刻蚀而成，在减小mask及工艺数量的同时，提升器件性能，降低GaN器件制造成本。

天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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