鸿扬半导体申请半导体装置与其制造方式专利，避免电路中的元件损坏
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2026-01-13 14:13:05
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国家知识产权局信息显示，鸿扬半导体股份有限公司申请一项名为“半导体装置与其制造方式”的专利，公开号CN121310546A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，一种半导体装置包含元件区与源极垫。元件区包含多个晶体管，其中晶体管的任一者包含栅极介电层与在栅极介电层上的栅极存储器单元，且栅极存储器单元包含第一栅极层、电阻切换氧化层与第二栅极层。电阻切换氧化层在第一栅极层上。第二栅极层在电阻切换氧化层上。源极垫在元件区上并覆盖晶体管。电阻切换氧化层可避免在栅极电阻过低时产生的微电流而造成误动作，进而避免电路中的元件损坏。
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