中欣晶圆申请重掺磷超低电阻率硅单晶制备方法专利，提升电性能降低电阻率
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2026-01-13 14:10:04
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国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“重掺磷超低电阻率硅单晶的制备方法”的专利，公开号CN121295325A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，一种重掺磷超低电阻率硅单晶的制备方法，包括：在等径工序中，基于炉压划分等径过程为等径Ⅰ区间和等径Ⅱ区间，采用的炉压按照以下条件设定：1）等径Ⅰ区间：炉压设置为12-16kPa，保持恒定；2）等径Ⅱ区间：炉压由等径Ⅰ区间结束时的值快速升至25-40kPa，之后保持恒定；在等径工序中，基于拉速划分等径过程为等径A区间、等径B区间和等径C区间，采用的拉速按照以下条件设定：1）等径A区间：拉速为0.8-1.4mm/min；2）等径B区间：拉速为0.7-1.0mm/min；3）等径C区间：拉速为0.4-0.8mm/min；在整个等径过程中，拉速整体呈现下降趋势。
天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息362条，此外企业还拥有行政许可25个。
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来源：市场资讯
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