昕原半导体申请选通管的制造方法专利，解决晶圆边缘金属暴露和污染问题
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2026-01-12 18:10:58
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国家知识产权局信息显示，昕原半导体（上海）有限公司申请一项名为“选通管的制造方法”的专利，公开号CN121310840A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种选通管的制造方法，选通管的制造方法包括：制备衬底，在衬底上侧沉积介质层；在介质层上侧沉积下电极层，在下电极层上侧沉积第一金属层；在第一金属层上侧沉积阻变层，在阻变层上沉积第二金属层；在第二金属层上沉积上电极层，以形成晶圆；翻转晶圆，以使衬底朝上，上电极层朝下；驱动晶圆转动，且向衬底喷淋刻蚀药液，以使刻蚀药液浸润晶圆边缘；同时对第二金属层、阻变层、第一金属层和下电极层的边缘进行湿法刻蚀。由此，通过对第二金属层、阻变层、第一金属层和下电极层的边缘进行湿法刻蚀，湿法刻蚀对第二金属层和第一金属层的刻蚀效率更快，并且副产物均是可溶物，从而可以解决晶圆边缘的金属暴露和污染的问题。
天眼查资料显示，昕原半导体（上海）有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本5029.7258万人民币。通过天眼查大数据分析，昕原半导体（上海）有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息140条，此外企业还拥有行政许可3个。
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来源：市场资讯
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