芯合电子申请非易失性存储器冗余替换方法专利，能完成对主阵列中坏区的修复_半导体

芯合电子申请非易失性存储器冗余替换方法专利，能完成对主阵列中坏区的修复

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2026-01-10 21:37:42

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国家知识产权局信息显示，芯合电子（上海）有限公司申请一项名为“一种非易失性存储器的冗余替换方法及装置”的专利，公开号CN121306220A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种冗余替换方法及装置，通过外部数字控制模块向内部数字控制模块发送指令以读取主阵列的特殊存放区的数据；在内部数字控制模块中对数据进行校验判断，并发送校验判断结果至外部数据控制模块；如果校验判断结果显示主阵列中存在坏区，通过外部数据控制模块从特殊存放区读取数据，并通过数据确定主阵列中坏区的地址；通过内部数字控制模块接收对主阵列修复的指令，通过外部数字控制模块判断修复指令是否是针对主阵列中坏区进行修复；如果指令是针对主阵列中坏区进行修复，则通过外部数据控制模块控制冗余阵列替换主阵列中坏区对应功能，以完成对主阵列中坏区的修复。本申请实施例能完成对主阵列中坏区的修复。

天眼查资料显示，芯合电子（上海）有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1610.5263万人民币。通过天眼查大数据分析，芯合电子（上海）有限公司共对外投资了10家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息44条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业阵列数据投资易失性冗余存储器读取模块专利坏区主阵列中坏区

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