京东方华灿光电申请具有高散热性能的发光二极管芯片专利，提高发光二极管芯片的散热性能_半导体

京东方华灿光电申请具有高散热性能的发光二极管芯片专利，提高发光二极管芯片的散热性能

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2026-01-05 17:08:43

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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（广东）有限公司申请一项名为“具有高散热性能的发光二极管芯片”的专利，公开号CN121262961A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本公开提供了一种具有高散热性能的发光二极管芯片，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括外延片；在平行于外延片的平面上具有相互垂直的第一方向和第二方向，外延片包括p型区域和n型区域，p型区域和n型区域沿第一方向间隔布置；p型区域内具有多个第一n型电极孔和多个第二n型电极孔，多个第一n型电极孔均匀开设在p型区域内，多个第二n型电极孔均匀开设在p型区域的边缘位置；n型区域内具有多个第三n型电极孔，多个第三n型电极孔均匀开设在n型区域内。本公开可以提高发光二极管芯片的散热性能。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（广东）有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本186000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（广东）有限公司参与招投标项目30次，专利信息45条，此外企业还拥有行政许可111个。

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来源：市场资讯

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