来源：中国能源网

东吴证券近日发布子行业跟踪周报：铜箔方面，AI服务器驱动HVLP电子铜箔需求扩张，但多数产能集中于日本、中国台湾，且核心后处理设备交付及产线调试周期长，扩产节奏显著慢于需求增长，供需缺口显著，涨价趋势明确；此外，锂电铜箔受益于储能及动力电池排产高增，加工费企稳回升，为铜箔企业业绩提供额外弹性。

以下为研究报告摘要：

投资要点

PCB产业链：上游原材料环节已进入量价齐升的确定性周期。

铜箔方面，AI服务器驱动HVLP电子铜箔需求扩张，但多数产能集中于日本、中国台湾，且核心后处理设备交付及产线调试周期长，扩产节奏显著慢于需求增长，供需缺口显著，涨价趋势明确；此外，锂电铜箔受益于储能及动力电池排产高增，加工费企稳回升，为铜箔企业业绩提供额外弹性。

电子布方面，5月以来涨价持续，AI服务器及先进封装所需的LowCTE、Low Dk高端产品供给偏紧。本轮涨价核心矛盾在于高端产能释放滞后于AI需求，织布机及后处理工艺扩张周期长，且部分传统产能正向高端转产，进一步压缩普通电子布供给，短期供给刚性支撑涨价持续性。

树脂方面，环氧树脂价格持续攀升，5月中旬均价突破16900元/吨，较年初累计涨幅超25%，双酚A等原料涨价叠加AI高频高速树脂需求扩张，高端产品供需缺口达30%至35%，住友电木年内二次涨价10%至20%，涨价趋势明确。

mSAP工艺正成为1.6T光模块PCB的核心技术路径

工艺升级维度上，mSAP工艺正成为1.6T光模块PCB的核心技术路径。光模块从800G向1.6T及以上代际跃迁，对PCB提出前所未有的精度与损耗要求。224Gbps PAM4信号传输下，传统高多层PTH设计已难以满足模块封装对布线密度和热管理的苛刻要求，推动PCB方案向类载板方向升级。mSAP工艺从微米级超薄铜箔起步，经图形定义、电镀增层及闪蚀去除多余铜层，可将线宽线距精准控制20微米左右，较传统减成法实现精度跃升。采用该工艺后，PCB能够在极小尺寸内实现更高密度线路布局，有效减小产品体积并最小化高速信号插入损耗，完美匹配1.6T及以上光模块对小型化、高集成度的需求。随着速率快速迭代，光模块PCB正加速从传统高多层板向mSAP工艺板过渡。随着2026至2027年1.6T光模块进入规模化上量周期，具备mSAP工艺量产能力与头部客户认证的厂商有望迎来订单放量与产品结构优化的双重驱动，业绩弹性将随光模块技术迭代充分释放。

光模块产业链：上游器件瓶颈成为制约1.6T模块放量的核心变量天孚通信4月业绩说明会披露，公司1.6T光引擎因个别物料缺货尚未达预期产量，正积极协调供应商争取交付；新易盛2026年一季报显示，预付款项较2025年末增长3920.83%至6.82亿元，主要系原材料预付款增加，龙头以巨额预付锁定上游物料，印证供应链紧缺已从预期落地为现实约束。

光芯片环节，EML及CW光源供需缺口突出。长光华芯公告披露100G EML已实现量产、200G EML已开始送样，100G VCSEL及100mWCW DFB芯片亦达量产出货水平；源杰科技100G PAM4EML已完成客户验证，200G产品进入验证阶段，并同步研发300mW高功率CW光源以匹配硅光及CPO需求。东山精密通过收购索尔思切入光芯片领域后，公告明确指出光芯片扩产需约1年建设周期且需长达3年客户验证，紧缺缓解远慢于光模块，具备量产能力的厂商将长期享受产能稀缺溢价。

光器件环节，福晶科技2025年年报显示其围绕光通信提供涵盖法

行业跟踪周报

拉第旋光片在内的关键精密光学元件，2026年重点推进下一代WSS衍射光栅量产；炬光科技在CPO领域为外置激光器、光引擎可插拔接口及FAU场景提供微透镜阵列等微光学解决方案。

电芯片环节，裕太微在互动平台表示已在DSP方向构建自适应均衡、时钟恢复等核心算法储备；优迅股份披露其单波100G TIA+Driver芯片已进入客户送样测试阶段，100Gbps系列电芯片预计三季度实现回片。综合来看，光互联产业投资逻辑正从模块集成向芯片、器件、电芯片等上游瓶颈环节切换，具备稀缺产能与客户认证的厂商将在1.6T至CPO的技术迭代中持续受益。

产业链相关公司：

PCB产业链：德福科技，铜冠铜箔，隆扬电子、国际复材、宏和科技、菲利华、联瑞新材、东材科技、深南电路、鹏鼎控股、景旺电子、兴森科技等

光模块产业链：长光华芯、东山精密、源杰科技、福晶科技、炬光科技、裕太微、优迅股份等。

风险提示：供应链波动风险，下游需求不及预期，行业竞争加剧。（东吴证券 陈海进,解承堯）