深圳镓楠半导体申请P型氮化镓HEMT器件专利，具有较佳的静态性能
创始人
2026-01-02 12:08:30
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国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“一种P型氮化镓HEMT器件”的专利，公开号CN121240487A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请提供了一种P型氮化镓HEMT器件，包括衬底、形成在所述衬底上的外延结构、形成在所述外延结构上的栅极、源极和漏极，其中，所述栅极沿第一轴向位于所述源极和所述漏极之间，所述栅极包括p‑GaN和栅极金属，所述栅极金属沿第二轴向叠设在所述p‑GaN上，沿垂直于衬底主表面的方向观察，至少部分的所述栅极金属的投影面完全覆盖所述P‑GaN的投影面。本申请中的一种P型氮化镓HEMT器件，具有较佳的静态性能，动态性能，以及可靠性。
天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息34条，此外企业还拥有行政许可7个。
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来源：市场资讯
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