闽都创新实验室申请高电子迁移率晶体管专利，降低欧姆接触电阻
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2026-01-01 20:07:06
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国家知识产权局信息显示，闽都创新实验室;世创微（福建）电子有限公司申请一项名为“一种高电子迁移率晶体管及其制备方法”的专利，公开号CN121240489A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法。高电子迁移率晶体管包括：衬底；沟道层，位于衬底的一侧；势垒层，位于沟道层远离衬底的一侧；帽层，位于势垒层远离衬底的一侧；多个凹槽，凹槽贯穿帽层和势垒层，且贯穿部分沟道层；电极层，至少部分位于帽层远离衬底的一侧；电极层包括源电极、漏电极和栅电极；至少部分源电极位于凹槽中，且与沟道层接触；至少部分漏电极位于凹槽中，且与沟道层接触；栅电极位于帽层远离衬底的一侧。本发明通过设置部分源漏电极通过凹槽与沟道层直接接触，可实现部分源漏电极与沟道层中的二维电子气直接接触，进而可提高源漏电极周围的二维电子气密度，降低欧姆接触电阻。
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来源：市场资讯
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