天津蓝天太阳科技申请高电压1064nm InGaAs激光电池专利,开路电压可达7V以上
创始人
2026-05-14 04:27:17
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国家知识产权局信息显示,天津蓝天太阳科技有限公司申请一项名为“一种高电压1064nm InGaAs激光电池”的专利,公开号CN122028510A,申请日期为2025年12月。

专利摘要显示,本发明公开了一种高电压1064nm InGaAs激光电池,所述激光电池的外延结构包括衬底,以及依次设置在衬底上的GaAs缓冲层、AlGaAs隧穿结、AlGaInAs渐变层、N‑1结GaInAs子电池、第N‑1层GaInP窗口层、第N结GaInAs子电池、第N层GaInP窗口层和GaInAs帽层,其中,在第一结GaInAs子电池到第N‑1结GaInAs子电池中,相邻两个GaInAs子电池之间自下而上设置有一层GaInP窗口层和一层AlGaInAs隧道结,当N≧9时,所述激光电池的开路电压可以达到7V以上。本发明采用利用In成分渐变AlGaInAs缓冲层,在GaAs衬底上生长GaInAs材料的1064nm激光电池优于多结808nm的激光电池。

天眼查资料显示,天津蓝天太阳科技有限公司,成立于2009年,位于天津市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析,天津蓝天太阳科技有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目295次,财产线索方面有商标信息4条,专利信息106条,此外企业还拥有行政许可116个。

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来源:市场资讯

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