正奇光能申请电池背面分区制备工艺专利，可使电池的光电转换效率绝对提升0.3%至0.45%_半导体

正奇光能申请电池背面分区制备工艺专利，可使电池的光电转换效率绝对提升0.3%至0.45%

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2026-05-12 21:53:08

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国家知识产权局信息显示，正奇光能科技有限公司申请一项名为“一种电池背面分区制备工艺”的专利，公开号CN122028537A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明涉及电池技术领域，且本发明公开了一种电池背面分区制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：在隧穿氧化层钝化接触的电池结构中，对背面多晶硅层进行分区厚度控制，使得金属电极接触区域下方的多晶硅层保持第一厚度，而非电极接触区域的多晶硅层被减薄至第二厚度，从而形成多晶硅指状结构；其中，所述第一厚度大于所述第二厚度，通过减少非电极区域多晶硅层的厚度，有效降低了寄生光吸收，特别是增加了对红外光的利用，可使电池的光电转换效率绝对提升0.3%至0.45%。电极下方较厚的多晶硅层保证了低接触电阻和良好的钝化，而非电极区域的薄层结构减少了光学遮挡和载流子复合，实现了钝化、接触与光学性能的最佳平衡。

天眼查资料显示，正奇光能科技有限公司，成立于2023年，位于马鞍山市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本40000万人民币。通过天眼查大数据分析，正奇光能科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目16次，专利信息35条，此外企业还拥有行政许可39个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业多晶硅电极投资电池厚度光能分区专利区域硅层

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